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이 학술지의 논문 검색
Defect Characterization of Ru/Mo/Si EUV Reflector by Optical Modeling
In Yong Kang, 정용재,오혜근,안진호 한국물리학회 2005 p.373-376
Charge-Based Analytical Current Modelfor Asymmetric Double-Gate MOSFETs
Ji-Sun Park, 신형순,이승준,지윤규 한국물리학회 2005 p.382-396
Gate Conduction Mechanism in Nonvolatile-Dynamic Random Access Memory (NVDRAM) Cell Transistors
정형 이, 홍식 민 한국물리학회 2005 p.387-391
양희정, 희정 양,신현정 한국물리학회 2005 p.387-400
HfSixOy-HfO2 Gate Insulator for Thin Film Transistors
S-W. Jeong, K. S. KIM,M. T. You,노용한,다까시노구찌,J. Jung,권장연 한국물리학회 2005 p.401-403
Control of the Crystal Orientation in Metal-Induced Lateral Crystallization
Min-Sun Kim, 이장식,Young-Su Kim,주승기 한국물리학회 2005 p.404-407
Hyung Soo Uh 한국물리학회 2005 p.408-412
Development of Triode-Type CNT-FEAs withEmbedded Electron-Beam Focusing Structure
형수 우 한국물리학회 2005 p.412-416
SJR(SCImago Journal Rank)는 스페인 Consejo Superior de Investigaciones Cintificas의 Felix de Moya 교수에 의해 개발된 것으로, '모든 인용은 동등하지 않다'는 전제를 기반으로 둔 학술지의 영향력 지수입니다.
구글의 Page Rank 알고리즘의 영향을 받아 전체 인용 네트워크에서 노드에 점수를 매기는 방식으로, 명성이 높은 저널에서의 인용은 고득점으로 평가되어 같은 인용이라도 보다 높게 평가 됩니다. 또한 저널의 주제분야, 질과 명성이 모두 직접 영향을 미치는 평가 지료라고 할 수 있습니다.
Scopus 데이터의 인용정보를 활용하여 산출되며, Scopus에 등재되지 않은 OA 저널평가에도 유용합니다.