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이 학술지의 논문 검색
Planar MOSFET에서 측정을 통한 순수한 Gate Induced Drain Leakage (GIDL) 추출 방법
전상빈(Sangbin Jeon), 유성원(Sungwon Yoo),이현슬(Hyunseul Lee),서영수(Youngsoo Seo),고형우(Hyoungwoo Ko),고결(Kyul Ko),전현옥(Hyunok Jeon),신형철(Hyungcheol Shin) 대한전자공학회 2015 p.2-4
Si₁-xGex p-FinFET에서 주된 누설 전류의 메커니즘 분석
손도균(Dokyun Son), 강덕승(Duckseoung Kang),김현석(Hyunsuk Kim),신형철(Hyungcheol Shin) 대한전자공학회 2015 p.5-7
정확환 Field Enhancement Factor를 고려하여 트랩 종류에 따른 트랩사이 거리 추출
전현옥(Hyunok Jeon), 유성원(Sung-Won Yoo),이현슬(Hyunseul Lee),서영수(Youngsoo Seo),전상빈(Sangbin Jeon),고형우(Hyungwoo Ko),고결(Kyul Ko),신형철(Hyungcheol Shin) 대한전자공학회 2015 p.8-11
실리콘 내부에 있는 slow trap에 의한 TAT 전류 변화 분석
고결(Kyul Ko), 유성원(Sung-Won Yoo),이현슬(Hyunseul Lee),서영수(Youngsoo Seo),전상빈(Sangbin Jeon),고형우(Hyungwoo Ko),전현옥(Jeon-Hyun Ok),신형철(Hyungcheol Shin) 대한전자공학회 2015 p.12-15
Fast Measurement 기법을 사용한 NAND Flash 소자에서의 NBTI 열화분석
박상구(Sang-ku Park), 이치우(Chi-woo Lee),이상호(Sang-ho Lee),박병국(Byung-gook Park) 대한전자공학회 2015 p.16-18
CPU-GPU 이기종 환경에서의 OpenCL Framework 구현
최규현(Kyu Hyun Choi), 김선욱(Seon Wook Kim) 대한전자공학회 2015 p.19-21
시뮬레이션을 통한 MOSFET 산화막 내부트랩의 영향 비교분석
이현슬(Hyunseul Lee), 유성원(Sung-Won Yoo),서영수(Youngsoo Seo),전상빈(Sangbin Jeon),고형우(Hyungwoo Ko),전현옥(Jeon-Hyun Ok),고결(Kyul Ko),신형철(Hyungcheol Shin) 대한전자공학회 2015 p.22-24
n-FinFET과 p-FinFET의 스페이서 길이에 따른 충돌이온화 특성 비교
김현수(Hyunsoo Kim), 서영수(Youngsoo Seo),김종수(Jongsu Kim),신형철(Hyungcheol Shin) 대한전자공학회 2015 p.25-27
GIDL 전류 RTN을 발생시키는 트랩 특성에 대한 통계적 분석
유성원(Sung-Won Yoo), 서영수(Youngsoo Seo),이현슬(Hyunseul Lee),전상빈(Sangbin Jeon),전현옥(Hyun-ok Jeon),고결(Kyul Ko),고형우(Hyungwoo Ko),신형철(Hyungcheol Shin) 대한전자공학회 2015 p.28-30
nFinFET과 pFinFET의 Fin 폭에 따른 충돌 이온화 비교
김종수(Jongsu Kim), 서영수(Youngsoo Seo),김현수(Hyunsoo Kim),신형철(Hyungcheol Shin) 대한전자공학회 2015 p.31-33