외국우수학생연구원초청연수사업

국문 초록 (Abstract)

나노스케일의 3차원 구조를 가지는 multi quantum well (MQW, 활성층)을 제조하여 GaN LED 소자의 발광효율을 향상시키고자 한다. 빛의 파장과 나노패턴의 크기가 비슷하기 때문에 interaction이 일어나는 것이 기대가 되며, 이러한 interaction이 광출력 향상에 최적화가 되도록 여러가지 변수들의 영향에 대하여 연구할 예정이다. 나노패턴의 모양과 크기에 대하여 최적화가 요구되며, 나노패턴은 세가지 방법으로 제작할 예정이다. 첫번째 방법은 금속나노클러스터를 마스크로 이용하는 것이며 이는 나노패턴간의 규칙성이 전혀 없는 것이다. 두번째는 AAO(알루미늄양극산화법)을 이용하여 나노패턴을 제조하는 방법으로써 어느정도의 나노패턴 규칙성이 존재한다. 마지막 방법은 photolithgraphy를 사용하는 것으로써 완전한 규칙성을 가진 나노패턴을 제조할 수가 있다.
이 외에도 전자와 정공의 재결합하는 면적이 늘어남에 따른 이점과, 표면거칠기가 향상되어 광추출효율이 향상된다는 장점을 기대할 수가 있다.