1 J. S. Chen, 56 : 1774-, 2009
2 D. W. Lee, 12 : 155-, 2004
3 H. Watanabe, 50 : 1779-, 2003
4 N. Kimizuka, 92 : 2000
5 S. G. Lee, 49 : 1876-, 2002
6 I. S. Han, 50 : 10PB03-10PB01, 2011
7 Y. Mitani, 509 : 2002
8 Y. M. Kim, 16 : 181-, 2003
9 M. F. Li, 19 : 301-, 2009
10 한인식, "Nano-scale PMOSFET에서 Plasma Nitrided Oixde에 대한 소자 특성의 의존성" 한국전기전자재료학회 20 (20): 569-574, 2007
1 J. S. Chen, 56 : 1774-, 2009
2 D. W. Lee, 12 : 155-, 2004
3 H. Watanabe, 50 : 1779-, 2003
4 N. Kimizuka, 92 : 2000
5 S. G. Lee, 49 : 1876-, 2002
6 I. S. Han, 50 : 10PB03-10PB01, 2011
7 Y. Mitani, 509 : 2002
8 Y. M. Kim, 16 : 181-, 2003
9 M. F. Li, 19 : 301-, 2009
10 한인식, "Nano-scale PMOSFET에서 Plasma Nitrided Oixde에 대한 소자 특성의 의존성" 한국전기전자재료학회 20 (20): 569-574, 2007
11 M. V. Haartman, "Low-Frequency Noise In Advanced MOS Devices" Springer 66-, 2007