이중게이트 MOSFET의 스켈링 이론에 대한 문턱전압이하 스윙분석 = Analysis of Subthreshold Swings Based on Scaling Theory for Double Gate MOSFET

국문 초록 (Abstract)

본 연구에서는 이중게이트 MOSFET에서 스켈링 이론에 대한 문턱전압이하 스윙을 분석하였다. 포아송방정식의 해석학적 전위분포를 구하기 위하여 가우스 전하분포를 이용하였다. 문턱전압이하 스윙의 저하와 같은 단채널 효과를 분석하기 위하여 스켈링이론이 사용되었으며 이중게이트 MOSFET의 특성상 두 개의 게이트 효과를 포함하기 위하여 일반적인 스켈링 이론을 수정하였다. 게이트길이에 대한 스켈링인자가 일반적인 스켈링인자의 1/2일 때 문턱전압이하 스윙의 저하현상이 매우 빠르게 감소하였으며 가우스함수의 이온주입범위 및 분포편차도 문턱전압이하 스윙에 영향을 미치는 것을 알았다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

This study has presented the analysis of subthreshold swings based on scaling theory for double gate MOSFET. To solve the analytical potential distribution of Poisson's equation, we use Gaussian function to charge distribution. The scaling theory has been used to analyze short channel effect such as subthreshold swing degradation. These scaling factors for gate length, oxide thickness and channel thickness has been modified with the general scaling theory to include effects of double gates. We know subthreshold swing degradation is rapidly reduced when scaling factor of gate length is half of general scaling factor, and parameters such as projected range and standard projected deviation have greatly influenced on subthreshold swings.

참고문헌 (Reference)

1 A.Kranti, "Analysis of quasi double gate method for performance prediction of deep submicron double gate SOI MOSFETs" 20 : 423-429, 2005

2 H.K.Jung, "Analysis of Doping Profile Dependent Threshold Voltage for DGMOSFET Using Gaussian Function" 9 (9): 310-314, 2011

3 P.K.Tiwari, "A 2D Analytical Model of the Channel Potential and Threshold Voltage of Double- Gate(DG) MOSFETs With Vertical Gaussian Doping Profile" 52-55, 2009

4 Technology Roadmap on Semiconductors, "2007 edition, Semiconductor Industry Association"