초박막 ONO 구조의 TDDB 특성 = TDDB Characteristics of Superthin ONO structure

국문 초록 (Abstract)

터널링 산화막과 블로킹 산화막의 두께가 각각 23A˚. 40A˚으로 동일하고 질화막이 45A˚, 91A˚, 223A˚으로 서로 다른 캐패시터형의 MONOS(metal-oxide-nitride-oxide-semiconductor) NVSM을 제작한 후, 경사전압 방법과 등전압 방법으로 절연파괴 특성을 측정하여 초박막 ONO 구조의 신뢰성을 조사하였다. 질화막이 23A˚인 초박막 ONO 유전막의 소자가 질화막이 두꺼운 소자에 비해서 우수한 신뢰성을 나타내었다. 따라서 초박막ONO 적층유전막은 MONOS/SONOS 구조를 갖는 비휘발성 반도체 기억소자의 고집적화를 가능하게 함을 알수 있다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

Capacitor-trpe MONOS (metal-oxide-nitride-oxide-semiconductor) NVSMs with the same dimensions of the tunneling oxide(23A˚) and blocking oxide(40A˚), but different dimensions of nitride(45A˚. 91A˚ 223A˚) were fabricated.
TDDB characteristics of MONOS devices were measured to investigate the reliability of ultrathin ONO structure using ramp voltage and constant voltage method. ultrathin ONO structure with 45A˚ nitride thickness was shown more good reliability than that with 91A˚ and 223A˚ Therefore. ultrathin ONO stacked dielectrics is Promising for scaling of nonvolatile semiconductor memory devices with SONOS/MONOS structure.