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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      CHARACTERISTICS OF BISMUTH-BASED THIN FILMS DEPOSITED DIRECTLY ON POLYMER SUBSTRATES FOR EMBEDDED CAPACITOR APPLICATION

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      https://www.riss.kr/link?id=A107635246

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      <P> B2Mg2/3Nb4/3O7 (BMN) thin films were deposited at low temperature (< 200°C) on Copper Clad Laminates (CCL) with various Ar/O2 flow ratios and film thicknesses by sputtering system. 200 nm-thick BMN thin films were deposited at Ar/O2 =...

      <P> B2Mg2/3Nb4/3O7 (BMN) thin films were deposited at low temperature (< 200°C) on Copper Clad Laminates (CCL) with various Ar/O2 flow ratios and film thicknesses by sputtering system. 200 nm-thick BMN thin films were deposited at Ar/O2 = 10: 10 had rms roughness of 54.3 ÅA, capacitance density of 155 nF/cm2 at 100 kHz, dissipation factor of 0.017 and leakage current density of ∼10- 5 at 3 V. Surface roughness of the BMN thin films increased a little with increasing the film thickness. However leakage current density decreased and the dielectric constant of that was maintained at 40.</P>

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