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Vyvenko, O. F. SCI TECH PUBLICATIONS LTD 1998 Solid State Phenomena Vol.63-64 No.-
Impact of Low Temperature Hydrogenation on Recombination Activity of Dislocations in Silicon
Vyvenko, O. F., Kittler, M., Seifert, W. Scitec Publications Ltd 2005 Solid State Phenomena Vol.108-109 No.-
Vyvenko, O. F., Kittler, M., Seifert, W. Uetikon-Zuerich; TTP 2005 Diffusion and defect data Vol.108-109 No.-
Impact of Hydrogenation on Electrical Properties of NiSi~2 Precipitates in Silicon
Vyvenko, O. F., Bazlov, N. V., Trushin, M. V., Nad Uetikon-Zuerich; TTP 2005 Diffusion and defect data Vol.108-109 No.-
Scanning X-ray excited optical luminescence microscopy of multi-crystalline silicon
Vyvenko, O., Arguirov, T., Seifert, W., Zizak, I. John Wiley & Sons, Ltd 2010 Physica Status Solidi. A Vol.207 No.8
A New Method to Investigate Separately the Properties of Screw and Edge Dislocations in II-VI Compound Semiconductors. DLTS and CL measurements of Intended CdS
Vyvenko, O. F. ACADEMIC VERLAG GMBH 1993 Physica Status Solidi. A Vol.138 No.2
Recombination activity and electrical levels of dislocations in p-type Si/SiGe structures: Impact of copper contamination and hydrogenation
Vyvenko, O. F., Kittler, M., Seifert, W. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2004 Journal of Applied Physics Vol.96 No.11
X-ray beam induced current-a synchrotron radiation based technique for the in situ analysis of recombination properties and chemical nature of metal clusters in silicon
Vyvenko, O. F., Buonassisi, T., Istratov, A. A., H AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2002 Journal of Applied Physics Vol.91 No.6
Cross-Sectional Electron-Beam-Induced Current Analysis of the Passivation of Extended Defects in Cast Multicrystalline Silicon by REmote Htdrogen Plasma Treatment
Vyvenko, O. F.,Kruger, O.,Kittler, M. American Institute of Physics 2000 Applied Physics Letters Vol.76 No.6
Crystal Lattice Defects as Natural Light Emitting Nanostructures in Semiconductors
Vyvenko, Oleg, Bondarenko, Anton unknown 2019 Springer series in chemical physics Vol.119 No.-
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