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임피던스정합을 이용한 레이더반사면적 최소화 단층형 전파흡수구조 설계
장병욱(Byung-Wook Jang),박정선(Jung-Sun Park) 한국항공우주학회 2015 韓國航空宇宙學會誌 Vol.43 No.2
전파흡수구조(RAS)의 설계는 이산최적화 문제로 확률론적 최적화기법이 적용되며, 효율성을 향상시키기 위해서는 오랜 시간이 소모되는 RCS의 계산량을 감소시켜야 한다. 본 논문에서는 임피던스정합을 이용해 RCS 최소화 단층형 RAS를 설계하기 위한 효과적인 방법을 연구하였다. 연구방법에서는 물리광학법(PO)과 최적화기법의 연동을 통해 전파입사조건에 대해 대상의 RCS가 이상적으로 최소화되는 입력임피던스를 계산하였다. 다음으로 RAS의 복소유전율 및 두께는 이산최적화를 통해 계산된 입력임피던스를 최대한 만족하도록 설계되었다. 연구결과 이러한 방법은 다수의 함수계산이 필요한 확률론적 최적화기법으로 RCS를 직접 최소화한 경우와 동일한 RAS 설계치를 도출하였으며, RCS 해석의 수를 효과적으로 줄임으로써 RAS 설계를 위한 최적화에 소모되는 기간을 크게 감소시켰다. The design of radar absorbing structures(RAS) is a discrete optimization problem and is usually processed by stochastic optimization methods. The calculation of radar cross section(RCS) should be decreased to improve the efficiency of designing RAS. In this paper, an efficient method using impedance matching is studied to design RAS for minimizing RCS. Input impedance of the minimal RCS for the specified wave incident conditions is obtained by interlocking physical optics(PO) and optimization. Complex permittivity and thickness of RAS are designed to satisfy the calculated input impedance by a discrete optimization. The results reveal that the studied method attains the same results as stochastic optimization which have to conduct numerous RCS analysis. The efficiency of designing RAS can be enhanced by reducing the calculation of RCS.
로드-풀을 이용한 X-Band GaN HEMT의 최적 임피던스 분석
김민수,이영철,Kim, Min-Soo,Rhee, Young-Chul 한국전자통신학회 2011 한국전자통신학회 논문지 Vol.6 No.5
본 논문에서는 로드-풀을 이용하여 X-band에서 on-Wafer 상태의 GaN HEMT 소자에 대한 성능을 분석하고 분석한 결과를 바탕으로 최적의 임피던스 점을 분석하였다. 패키징 하기 전 on-Wafer 상태에 있는 반도체 소자의 최적의 임피던스 분석을 통해 소자 자체에서 최적의 성능을 내는 방안을 제안하였다. Gate length가 0.25um이고 Gate Width가 각각 400um, 800um인 소자에 대한 최적의 임피던스를 선정하여 성능을 분석한 결과, 400um는 $P_{sat}$=33.16dBm(2.06W), PAE=67.36%, Gain=15.16dBm의 성능을 가지며, 800um는 $P_{sat}$=35.9 dBm(3.9W), PAE=69.23%, Gain=14.87dB의 성능을 보였다. In this paper, we analysed performance for on-wafer GaN HEMT using load-pull in X-band, and studied optimum impedance point based on analysis result. We suggested method of optimum performance device by analysis of optimum impedance for solid state device on-wafer condition before packaging. The measured device is gate length 0.25um, and gate width is 400um, 800um. device 400um is performed $P_{sat}$=33.16dBm, PAE=67.36%, Gain=15.16dBm, and device 800um is performed $P_{sat}$=35.91dBm, PAE=69.23%, Gain=14.87dBm.
장연길,이영철,Jang, Yeon-Gil,Rhee, Young-Chul 한국전자통신학회 2012 한국전자통신학회 논문지 Vol.7 No.2
본 논문은 외부 영향에 의하여 고속 정보시스템의 모듈사이에서 발생되는 전송잡음과 왜곡신호에 대한 신호 보전의 방법에 대하여 제안하였다. 고속 전송선로의 왜곡효과를 제거하기 위하여 전송선로 임피던스 정합에 의한 신호보전(signal integrity)은 고속 동작에 따른 전송선로효과 발생조건을 ADS로 모델링한 후 최적의 임피던스 정합을 단선 및 차동인터페이스 방식으로 구분하였다. 실험한 결과, 고속 정보통신시스템에 따르는 신호지연을 고려하여 최적의 단자 임피던스 값을 정합시켜 고속 신호의 최적 보전이 가능함을 보여 주었다. In this paper, we suggested the method of signal integrity for noises and distortion signal generated between high speed information transmission modules by external effects. Suggested method for signal integrity of impedance matching to remove transmission line distortion, We divided the impedance matching between the transmitter and the receiver module with the single line and differential line methods after confirmed the improvement of signal distortions through ADS simulation. the experimental results indicated that it is possible to keep signal integrity without signal distortions by matching the optimal termination impedance which are considering the signal delay of transmission line for using the high-performance modules.