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- 저자 : 최범식(Bum-Sik Choi) (검색결과 7 건)
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이연승(Youn-Seoung Lee),임관용(Kwanyong Lim),정용덕(Young-Duck Chung),최범식(Bum-Sik Choi),황정남(Chung-Nam Whang) 한국진공학회(ASCT) 1997 Applied Science and Convergence Technology Vol.6 No.4
XPS를 이용하여 공기 중에 노출된 TiN 박막과 상온 증착된 Cu사이의 계면에서의 화학적 반응과 전자 구조적인 변화를 조사하였다. Ti(2p), O(1s), N(1s), Cu(2p) core-level과 Cu LMM Auger line의 spectrum을 보면, Cu의 증착두께가 증가하여도 peak의 위치 뿐만 아니라 line shape이 전혀 변화하지 않는다. 그리고 XPS에 의한 valence bands를 보아도 전혀 변화가 없다. 이것은 공기 중에 노출된 TiN 박막과 Cu 사이의 계면에서 Cu 화합물의 어떠한 형태도 존재하지 않을 뿐만 아니라 전자 구조적인 면에서도 전혀 변화가 없음을 의미한다. 계면에서 Cu가 화학적 반응을 일으키지 않는 것은 계면접합력을 나쁘게 하는 요인이 된다. 우리는 계면에서의 화학 반응 또는 전자구조의 변화에 대한 연구를 통하여 Cu와 TiN 박막의 계면접합력을 이해할 수 있었다. A chemical reaction and electronic structure change at the interface between copper and titanium nitride were investigated by XPS. A thin Cu layer was deposited on a TiN substrate oxidized by exposure to air at room temperature. We observed the Ti(2p), O(1s), N(1s), Cu(2p) core-level, and Cu LMM Auger line spectra. With increasing of the thickness of Cu layer, these spectra do not show any changes in the line shape as well as in peak position. In addition, the valence band spectra in XPS do not show any changes, which indicates that Cu does not react with Ti, N, and O. This inreactivity of Cu might cause a poor adhesion between Cu and TiN.
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XPS를 이용한 TiN / Cu의 Grain boundary diffusion 연구
임관용(Kwanyong Lim),이연승(Youn-Seoung Lee),정용덕(Yong-Duck Chung),이경민(Kyungmin Lee),황정남(Chung-Nam Whang),최범식(Bum-Sik Choi),원정연(Jeungyun Won),강희재(Hee-Jae Kang) 한국진공학회(ASCT) 1998 Applied Science and Convergence Technology Vol.7 No.2
TiN을 Cu의 확산방지막으로 사용하기 위해 많은 연구가 되어왔는데, 이 연구에서는 특히 X-ray photoelectron spectroscopy(XPS)를 이용하여 TiN박막에서의 Cu의 확산현상을 연구하였다. TiN 박막은 일반적으로 columnar grain을 형성하면서 성장을 하는데, 녹는점의 1/3에 해당하는 비교적 낮은 온도에서는 grain들의 경계를 따라 Cu가 확산함을 확인하였다. Atomic force microscopy(AFM)를 이용하여 grain의 모양을 관찰하였고, 이 grain boundary를 통한 확산 현상을 연구하기 위하여, modified surface accumulation method를 이용하였다. 연구 결과, TiN박막에서의 Cu의 grain boundary diffusion의 활성화 에너지 Q_b는 0.23 eV, Diffusivity D_(bo)는 5.5×10^(-12) ㎠/sec의 값을 얻었다. TiN has been investigated as a good candidate for a diffusion barrier of Cu. Therefore, in this study, the grain boundary diffusion of Cu in TiN film was investigated by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). In general, TiN has a columnar grain structure. In the relatively lower temperature, less than 1/3 of the melting point, it was observed that Cu diffused into TiN mainly along the grain boundaries of TiN. The grain size of TiN was measured by atomic force microscope (AFM). In order to estimate the grain boundary diffusion constants, we used the modified surface accumulation method. The activation energy, Q_b was 0.23 eV, and the diffusivity, D_(bo) was 5.5×10^(-12) ㎠/sec.
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최범식 전주대학교 자연과학종합연구소 1997 전주대학교 자연과학연구소 학술논문집 Vol.10 No.1
The initial growth and oxidation of ultra thin films of Sn on clean Si(111) 7 x 7 surface were studied by XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy) and LEED (Low Energy Electron Diffraction) techniques. Sn overlayers grew layer by layer at least 2 ML(monolayer) at room temperature. After annealing, however 3-D islands grew on Sn monolayer base, and Sri did not diffuse into the silicon in contrast to the Sn/GaAs system. One monolayer of Sn on Si(111) showed much less oxidation rate than those of bulk, but the oxidation rate of 2-D islands of submonolayer Sn was enhanced substantially.
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非晶質 Silicon 薄膜의 製作 및 그 Doping 效果
최범식,김수길,고년규,황정남,정원모,이철주 연세대학교 자연과학연구소 1982 學術論文集 Vol.9 No.-
SiH_4 기체에 PH_3 및 B_2H_6 기체를 0.7% 체적비로 혼합하여 rf glow 방전법으로 n형 및 p형 a-Si:H 박막을 기판온도 120℃에서 제작하여, 광투과도 측정, 열처리에 따른 전기 전도도의 변화 등을 조사하여 이들의 doping 효과를 연구하였다. n형, p형 및 undoped a-Si:H 박막의 optical gap은 각각 1.73eV, 1.86eV 및 1.86eV로 doping이 많이 이루어질수록 줄어 들었다. 250℃에서 열처리한 시료들의 상온에서의 전도도는 각각 2×10^-2Ω^-1㎝^-1, 5×10^-8Ω^-1㎝^-1, 5×10^-7Ω^-1㎝^-1이었고, 활성화 에너지 ??E는 각각 0.16eV, 0.49eV 및 0.48eV이었다. 300℃에서 열처리한 결과, ??E는 줄어 들고 전도도는 증가하였다. 350℃ 및 450℃에서 열처리한 결과 dehydrogenation 효과로 인하여 n형과 p형은 서로 상반되는 결과를 보였다. 즉, n형 시료의 전도도는 감소하고 ??E는 증가하였지만, P형 시료의 전도도는 증가하고 ??E는 감소하였다. 저온 영역에서 구한 n형 시료의 전도도로부터 hopping 활성화 에너지를 구한 결과 0.085eV이었다. Thin n-type and p-type a-Si:H films were prepared by rf glow discharge decomposition of silane mixed with 7×10^-3 parts per volume of phospine or diborane. All specimens were deposited on glass substrates held at 120℃. In order to determine the doping effects the opital absorption and dc conductivity of these specimens were measured after annealing at various temperatures. The optical gap was 1.73eV in the case of the n-type specimens, 1.80eV for the p-type, and 1.86eV undoped. This showed that the gap width decreased as the doping increased. The room temperatuer conductivities of these specimens annealed at 250℃ were 2×10^-2Ω^-1㎝^-1, 5×10^-8Ω^-1㎝^-1, and 5×10^-7Ω^-1㎝^-1, respectively, and the activation energies, ??E, of these specimens were 0.16eV, 0.49eV, and 0.48eV, respectively. For specimens annealed at 300℃, ??E decreased and the conductivity increased. When these specimens were annealed at 350℃ and 450℃, dehydrogenation caused opposite effects on the n-type and p-type specimens; the conductivities of n-type specimens decreased and ??E increased, but the conductivities of p-type specimens increased and ??E decreased.From an investigation of the temperature dependence of the conductivity of the n-type specimen in the low temperature region, we determined that the hopping activation energy was 0.085eV.
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전자선 증착장치 및 ITO 박막의 제작과 그 특성에 관한 연구
김수길,최범식,우정주,고년규,황정남,정원모,이철주 연세대학교 자연과학연구소 1982 學術論文集 Vol.9 No.-
태양 전지의 제작시 투명 전극막으로 쓰이는 ITO 박막을 제조하기 위하여 cathode 접지 방식의 전자총을 가진 정전 편향 집속형의 전자선 증착 장치를 제작하였다. 가속전압이 0∼15kV, 필라멘트 전류가 0∼28A, 두 전극판 사이의 간격이 11mm, anode와 deflector 사이의 간격이 30mm인 최적 실험조건하에서 생성된 전자선 spot의 크기는 길이가 20mm 폭이 1mm였으며, 전자선의 출력은 약 400W였다. 이 전자선 증착 장치를 이용하여 1600℃까지의 증발 온도를 가진 도체와 절연체 등을 쉽게 증착시킬 수 있었으며, 만드어진 ITO 박막은 약 5000Å의 두께에서 10^-1∼10^-2Ω·㎝의 비저항과 95%의 광투과율을 갖는다. An electron beam evaporator with a cathode grounded type electron gun was designed and constructed in order to deposit ITO thin films for photovoltaic applications. The optimum condition was observed with electode spacing of 11mm, 30mm between anode and deflector, a cathode inner diameter of 3mm and an anode inner diameter of 5mm. As the accelerating voltage varies from 0 to 15kV and ghe filament current from 0 to 28 A, the minimum electron beam spot has a 20mm length, and 1mm width and the output power ranges from 0 to 400W under the above optimum conditions. We can deposit materials whose evaporation temperature is over 1600℃ using this evaporator. And as a result ITO thin film showed a low resistivity of 10^-1∼10^-2Ω·㎝ and the transmittance of 95%.
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Glow Discharge 증착법에 의한 a-Si:H 박막의 Doping 효과 및 비정질 Si 태양전지 제작에 관한 연구
지일환,염덕선,최범식,김수길,고년규 연세대학교 자연과학연구소 1983 學術論文集 Vol.12 No.-
GDa-Si:H박막의 전기전도도 σ, 활성화에너지 ΔE, 광흡수계수 α 및 optical oprtical gap energy E_g(opt.)를 측정하여 전기적, 광학적 성질을 조사하였다. 또한 이들 박막의 광전기력 응용으로서 a-Si:H ITO/_(p-i-n)접합 태양전지를 제작하여 광전기력 현상을 관찰하였다. The electrical and optical properties of GD a-Si:H films have been investigated to obtain electric conductivity σ, activation energy ΔE, optical absorption coefficient α, and optical gap energy Eg(opt.). As a photovoltaic application of GD a-Si:H film, amorphous silicon ITO/p-i-n heteroface solar cells have been fabricated and the photovoltaic characteristics of the solar cells have be studied.
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