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정의석,김진완,임문혁,서현식,조한뜻,이태호 한국대기환경학회 2021 한국대기환경학회 학술대회논문집 Vol.2021 No.10
도심지역과 인접하여 위치하고 있는 인쇄업, 세탁업, 음식업, 미용업, 도장업 등 소규모 배출원의 경우 주요 도심지역의 고농도 오존 생성에 기여할 수 있다. 이에 주요 소규모 VOCs 배출원을 중심으로 VOCs 물질을 저감하기 위한 다양한 융합기술 개발 연구를 진행하고 있다. 본 연구에서는 소규모 자동차 공업사 총 5개 시설을 중심으로 카트리지 형식의 활성탄 흡착제가 포함된 저감장치를 설치하여 운영하고 있으며, PID 센서가 포함된 VOCs 실시간 모니터링 장치를 설치하여 전, 후단을 동시에 실시간 모니터링을 진행하고 있다. 전단 및 후단 모니터링 결과를 효율적으로 관리하기 위하여 본 연구에서는 IoT 기반의 통합관리시스템을 개발하였다. 시스템에서는 각 공업사 배출시설을 중심으로 공간적 위치관리는 물론, 카트리지형 흡착장치 카트리지의 교체주기, 전처리 필터 교체주기, 이력관리, 차압 등의 정보를 실기간으로 관리할 수 있도록 하였으며, 보다 효율적으로 장치 제어 및 유지관리, VOCs 저감 효율을 판단할 수 있도록 구축하였다. 이러한 통합관리시스템 운영은 VOCs를 저감하기 위한 흡착시설의 흡착제 교체주기를 효율적으로 관리할 수 있는 체계적이며, 과학적인 시스템 운영방안이며, 향후 교체시점 관리 부재에 따른 미비한 VOCs 배출 영향 관리를 획기적으로 개선하는데 기여할 수 있을 것이다.
Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>와 4H-SiC Vertical DMOSFET 성능 비교
정의석,김영재,구상모,Chung, Eui Suk,Kim, Young Jae,Koo, Sang-Mo 한국전기전자학회 2018 전기전자학회논문지 Vol.22 No.1
산화갈륨 ($Ga_2O_3$)과 탄화규소 (SiC)는 넓은 밴드 갭 ($Ga_2O_3-4.8{\sim}4.9eV$, SiC-3.3 eV)과 높은 임계전압을 갖는 물질로서 높은 항복 전압을 허용한다. 수직 DMOSFET 수평구조에 비해 높은 항복전압 특성을 갖기 때문에 고전압 전력소자에 많이 적용되는 구조이다. 본 연구에서는 2차원 소자 시뮬레이션 (2D-Simulation)을 사용하여 $Ga_2O_3$와 4H-SiC 수직 DMOSFET의 구조를 설계하였으며, 항복전압과 저항이 갖는 trade-off에 관한 파라미터를 분석하여 최적화 설계하였다. 그 결과, 제안된 4H-SiC와 $Ga_2O_3$ 수직 DMOSFET구조는 각각 ~1380 V 및 ~1420 V의 항복 전압을 가지며, 낮은 게이트 전압에서의 $Ga_2O_3-DMOSFET$이 보다 낮은 온-저항을 갖고 있지만, 게이트 전압이 높으면 4H-SiC-DMOSFET가 보다 낮은 온-저항을 갖을 수 있음을 확인하였다. 따라서 적절한 구조와 gate 전압 rating에 따라 소자 구조 및 gate dielectric등에 대한 심화 연구가 요구될 것으로 판단된다. Gallium oxide ($Ga_2O_3$) and silicon carbide (SiC) are the material with the wide band gap ($Ga_2O_3-4.8{\sim}4.9eV$, SiC-3.3 eV). These electronic properties allow high blocking voltage. In this work, we investigated the characteristic of $Ga_2O_3$ and 4H-SiC vertical depletion-mode metal-oxide-semiconductor field-effect transistors. We demonstrated that the blocking voltage and on-resistance of vertical DMOSFET is dependent with structure. The structure of $Ga_2O_3$ and 4H-SiC vertical DMOSFET was designed by using a 2-dimensional device simulation (ATLAS, Silvaco Inc.). As a result, 4H-SiC and $Ga_2O_3$ vertical DMOSFET have similar blocking voltage ($Ga_2O_3-1380V$, SiC-1420 V) and then when gate voltage is low, $Ga_2O_3-DMOSFET$ has lower on-resistance than 4H-SiC-DMOSFET, however, when gate voltage is high, 4H-SiC-DMOSFET has lower on-resistance than $Ga_2O_3-DMOSFET$. Therefore, we concluded that the material of power device should be considered by the gate voltage.
정의석,이주영,손진아,김은선,이진아,최창원,김이경,김병일,김윤주,손세형,이은희,최은진,이현주 대한신생아학회 2009 Neonatal medicine Vol.16 No.2
Purpose : The aim of this study is to investigate the current use of dexamethasone rescue therapy (DRT) for bronchopulmonary dysplasia (BPD). Methods : This is a retrospective study of 251 BPD patients managed in the neonatal intensive care units at Seoul National University Childrens Hospital and Seoul National University Bundang Hospital between March 2004 and August 2008. The demographic data and clinical characteristics of the mothers and infants were analyzed. The infants were compared based on DRT responsiveness. The DRT complications were investigated. Resluts : Ninety-three patients (37.1%) were classified with severe BPD, DRT was only given to patients with severe BPD. Dexamethasone was administered to 24 patients (9.6%) whose respiratory status had precluded extubation, which indicated that conventional BPD management had failed. Fourteen patients (58.3%) who received DRT were responsive. DRT non-responders required more oxygenation and more complicated with pulmonary arterial hypertension (PAH). Responder had shorter length's of hospitalization and lower mortality rates. High dose dexamethasone was no more effective in weaning neonates from the ventilatior than low dose dexamethasone. Sepsis was the most common complication of DRT. Conclusion : DRT is a valuable treatment for severe BPD ahead of PAH development. DRT should not be performed in BPD patients with PAH due to the possibility of complications.