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정영석(Youngseok Jeong),김형재(Hyoungjae Kim),정해도(Haedo Jeong) 대한기계학회 2003 대한기계학회 춘추학술대회 Vol.2003 No.4
The friction heat generated by the CMP process hasinfluence on removal rate and WIWNU(Within Wafer Non-Uniformity). Therefore, the object of this study in to find the distribution of temperature on pad surface during CMP process. To do this, the authors analyse the kinematics of CMP equipment to verify the sources of friction heat and compare the analysis result with the experimental results. Through the analysis and experiment conducted in this paper, we can predict the distribution of polishing temperature across the pad surface. Furthermore the result could help to predict the process conditions which could enhance the polishing results, such as WIWNU and removal rate of thin film to achieve more effcient process.
신경망 가속을 위한 저항성 메모리의 IR Drop 보상
정영석(Youngseok Jeong),김이섭(Lee-Sup Kim) 대한전자공학회 2021 대한전자공학회 학술대회 Vol.2021 No.6
We propose a new compensation method to minimize the effect of IR Drop during ReRAM PIM operation. A method of compensating the SAR ADC output by reflecting the IR Drop noise that effects the output of the ReRAM PIM to the reference voltage of the SAR ADC has been proposed. The proposed solution is capable of a significant level of compensation up to 35% of the worst IR Drop.
정영석(YoungSeok Jeong),김형재(HyoungJea Kim),최재영(Jaeyoung Choi),정해도(HaeDo Jeong) Korean Society for Precision Engineering 2004 한국정밀공학회지 Vol.21 No.11
CMP (Chemical-Mechanical Polishing) is a process in which both chemical and mechanical mechanisms act simultaneously to produce the planarized wafer. CMP process is an extensive usage and continuing high growth rates in the semiconductor industry. The understanding of the process, however, is much slower. The nature of material removal from the wafer is still undefined and ambiguous. Material removal rate according to the slurry flow rate is also undefined and ambiguous. Thus, in this study, the basic mechanism of material removal rate as slurry flow rate is defined in terms of energy supply and energy loss.
3D NAND Flash Memory 의 Cell Patterns 에 따른 Down Coupling Phenomenon 연구
한상우(Sang Woo Han),정영석(Youngseok Jeong),김윤(Yoon Kim),강명곤(Myounggon Kang) 대한전자공학회 2019 대한전자공학회 학술대회 Vol.2019 No.6
본 논문은 3D NAND 플래시 메모리의 Cell 패턴에 변화를 주었을 경우에 나타나는 Down Coupling Phenomenon(DCP)에 대해 비교하고 분석하였습니다. 3D NAND 플래시 메모리의 구조는 메인 Cell 의 Channel 이 body 와 연결되어 있지 않아 쉽게 Floating 상태가 된다. 이러한 Floating 상태로 인하여 Channel Potential 이 낮아지는 현상인 DCP 가 발생합니다. 이때 인접 Cell 의 Pattern 변화에 따른 DCP 현상을 분석했다.
3D NAND Flash Memory의 Word Line 수에 따른 Down Coupling Phenomenon에 대한 Natural Local Self-Boosting 연구
한상우(Sangwoo Han),정영석(Youngseok Jeong),강명곤(Myounggon Kang) 대한전자공학회 2019 대한전자공학회 학술대회 Vol.2019 No.11
본 논문에서는 3D NAND Flash Memory의 단 수에 따른 Down coupling phenomenon (DCP)과 Natural local self-boosting(NLSB)을 분석했다. 각각 16단, 32단 48단에서 DCP와 NLSB를 비교 분석했다. 이때 Word line(WL) 수가 가장 많은 48단에서 가장 큰 DCP 현상을 보였다. 이는 단수가 많아질수록 selected WL channel 에 DCP에 영향을 더욱 받는다는 것을 알 수 있다. 또한 selected WL의 channel potential이 boosting 되는 현상인 NLSB는 16단에서 48단으로 갈수록 낮아짐을 보였다. 이것은 charge sharing effect 와 48단에서 DCP의 영향을 받아 가장 낮은 potential을 가지고 있기 때문이다. 이와 같이 DCP 현상이 NLSB 영향을 주는 것을 비교 분석하는 것이 본 논문의 주요 초점 중 하나이다.