http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
- 中文 을 입력하시려면 zhongwen을 입력하시고 space를누르시면됩니다.
- 北京 을 입력하시려면 beijing을 입력하시고 space를 누르시면 됩니다.
RISS 인기검색어
- 검색키워드
- 저자 : 우형철(R. Woo) (검색결과 1 건)
- 무료
- 기관 내 무료
- 유료
-
자장강화된 유도결합형 플라즈마를 이용한 산화막 식각에 대한 연구
안경준(K. J. An),김현수(H. S. Kim),우형철(R. Woo),유지범(J. B. Yoo),염근영(G. Y. Yeom) 한국진공학회(ASCT) 1998 Applied Science and Convergence Technology Vol.7 No.4
본 연구에서는 자장강화된 유도결합형 플라즈마를 사용하여 이 플라즈마의 특성을 조사하고 또한 산화막 식각에 미치는 영향에 대하여 조사하였다. 자장 강화를 위해 4쌍의 영구자석이 사용되었고, 산화막 식각을 위해 C₂F_6, CHF₃, C₄F_8 가스 및 이들 혼합가스가 사용되었으며 첨가가스로 H₂를 사용하였다. 자장강화된 유도결합형 플라즈마 특성 분석을 위해 Langmuir probe 와 optical emission spectrometer를 이용하였으며 산화막 식각 속도 및 photoresist에 대한 식각 선택비를 stylus profilometer를 이용하여 측정하였다. 이온 밀도에 있어서 자장 유무에 따른 큰 변화는 관찰되지 않았으나 이온전류밀도의 균일도는 자장을 가한 경우 웨이퍼가 놓이는 기판 부분에서 상당히 증가된 것을 알 수 있었다. 또한 자장이 가해진 경우, 자장을 가하지 않은 경우에 비해 플라즈마 전위가 감소된 반면 전자온도 및 라디칼 밀도는 크게 증가되는 것을 알 수 있었으며 산화막 식각시에도 높은 식각 속도와 식각 균일도를 보였다. 산화막 식각을 위해 수소가스를 사용한 가스조합중에서 C₄F_8/H₂가스조합이 가장 우수한 식각 속도및 photoresist에 대한 식각 선택비를 나타내었으며 공정변수를 최적화 함으로써 순수 C₄F_8에서 4이상의 선택비와 함께 8000 Å/min의 가장 높은 식각속도를 얻을 수 있었으며, 50%C₄F_8/50%H₂에서 4000 Å/min의 산화막 식각 속도와 함께 15이상의 식각 선택비를 얻을 수 있었다. In this study, the effects of multi-dipole type of magnets on the characteristics of the inductively coupled plasmas and SiO₂ etch properties were investigated. As the magnets, 4 pairs of permanent magnets were used and, to etch SiO₂, C₂F_6, CHF₃, C₄F_8, H₂, and their combinations were used. The characteristics of the magnetized inductively coupled plasmas were investigated using a Langmuir probe and an optical emission spectrometer, and SiO₂ etch rates and the etch selectivity over photoresist were measured using a stylus profilometer. The use of multi-dipole magnets increased the uniformity of the ion density over the substrate location even though no significant increase of ion density was observed with the magnets. The use of the magnets also increased the electron temperature and radical densities while reducing the plasma potential. When SiO₂ was etched using the fluorocarbon gases, the significant increase of SiO₂ etch rates and also the increase of etch uniformity over the substrate were obtained using the magnets. In case of gas combinations with hydrogen, C₄F_8/H₂showed the highest etch rates and etch selectivities over photoresist among the gas combinations with hydrogen used in the experiment. By optimizing process parameters at 1000 Watts of inductive power with the magnets, the highest SiO₂ etch rate of 8000 Å/min with the etch selectivity of 4 could be obtained for 100% C₄F_8 and the highest etch selectivity of over 15 with the SiO₂ etch rate of 4000 Å/min could be obtained for 50% C₄F_8/50% H₂.
DBpia
ScienceON연관 검색어 추천
이 검색어로 많이 본 자료
활용도 높은 자료
