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Electrical and Optical Properties for TCO/Si Junction of EWT Solar Cells
송진섭(Song, Jinseob),양정엽(Yang, Jungyup),이준석(Lee, Junseok),홍진표(Hong, Jinpyo),조영현(Cho, Younghyun) 한국신재생에너지학회 2010 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2010 No.11
In this work we have investigated electrical and optical properties of interface for ITO/Si with shallow doped emitter. The ITO is prepared by DC magnetron sputter on p-type monocrystalline silicon substrate. As an experimental result, The transmittance at 640nm spectra is obtained an average transmittance over 85% in the visible range of the optical spectrum. The energy bandgap of ITO at oxygen flow from 0% to 4% obtained between 3.57eV and 3.68eV (ITO : 3.75eV). The energy bandgap of ITO is depending on the thickness, sturcture and doping concentration. Because the bandgap and position of absorption edge for degenerated semiconductor oxide are determined by two competing mechanism; i) bandgap narrowing due to electron-electron and electron-impurity effects on the valance and conduction bands (> 3.38eV), ii) bandgap widening by the Burstein-Moss effect, a blocking of the lowest states of the conduction band by excess electrons( < 4.15eV). The resistivity of ITO layer obtained about 6{times}10^{-4}{Omega}cm at 4% of oxygen flow. In case of decrease resistivity of ITO, the carrier concentration and carrier mobility of ITO film will be increased. The contact resistance of ITO/Si with shallow doped emitter was measured by the transmission line method(TLM). As an experimental result, the contact resistance was obtained 0.0705{Omega}cm² at 2% oxygen flow. It is formed ohmic-contact of interface ITO/Si substrate. The emitter series resistance of ITO/Si with shallow doped emitter was obtained 0.1821{Omega}cm². Therefore, As an PC1D simulation result, the fill factor of EWT solar cell obtained above 80%. The details will be presented in conference.
페로브스카이트 태양전지 응용을 위한 무기 정공 전달 물질에 대한 연구
김기성(Gisung Kim),김미정(Mijoung Kim),김민아(Mina Kim),양정엽(JungYup Yang),Jaegwan Sin,Hyoseong Jang 한국태양에너지학회 2021 한국태양에너지학회 학술대회논문집 Vol.2021 No.5
유·무기 할라이드 페로브스카이트 태양전지 (perovskite solar cells, PSCs)는 우수한 화학적, 전기적, 광학적인 특성을 가지며 차세대 박막 태양전지에 적합하다. 대표적으로 페로브스카이트 태양전지는 전자전달층 (electron transport layer)인 TiO<sub>2</sub>와 정공전달층 (hole transport layer)인 Spiro- OMeTAD 사이에 MAPbI<sub>3</sub>층이 흡수층으로써 사용된다. 최근 Copper (I) thiocyanate (CuSCN)은 우수한 열 안정성과 저가 물질로써 페로브스카이트 정공전달층으로 큰 잠재력을 보여주었다. 우리는 기존 널리 사용되고 있는 정공전달물질인 Spiro-OMeTAD를 CuSCN으로 대체하여 원스텝 스핀코팅 방법을 이용해 CuSCN의 최적 조건을 연구하고 이에 따른 소자를 제작하였다. Scanning Electron Microscopy (SEM), UV-Visible spectroscopy (UV-vis), X-Ray Diffraction (XRD)을 이용하여 박막의 특성을 분석하고, I-V, Quantum Efficiency (QE)를 이용하여 소자의 특성을 분석하였다.