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신범재 한국조명전기설비학회 2004 조명.전기설비 Vol.18 No.4
본격적인 디지털 방송 시대를 앞두고 대형 TV 스크린에 대한 기술 개발 경쟁이 치열하게 전개되고 있다. 대형 디스플레이 소자로서 대표 주자인 Plasma Display Panel(PDP)의 양산에 한국, 일본 및 대만의 전자 업체들의 경쟁이 시작되었고, 이제는 30 인치 이상 대형 디스플레이로 상업화 가능성이 없었던 TFT(Thin Film Transistor) LCD(Liquid Crystal Display)가 40인치 이상의 TV 시장을 공략하기 위해서 대규모의 투자를 진행하고 있어서 PDP의 아성을 위협하기 시작했다〔1〕∼〔3〕. (중략)
하전 입자 효과를 이용한 Plasma Display Panel의 고속 구동 파형에 관한 연구
신범재(Bhum-Jae Shin),박상식(Sang-Sik Park) 한국조명·전기설비학회 2009 조명·전기설비학회논문지 Vol.23 No.2
본 연구는 Full-HD급 PDP의 고속 구동 구현을 위한 새로운 구동 방식에 관한 연구이다. 새로운 SPA (self-priming address) 구동 파형은 어드레스 구간에서 지속적인 프라이밍 방전을 유지하여 하전 입자 효과를 이용하여 어드레스 방전 지연 시간을 개선하기 위하여 제안되었다. 본 연구에서는 프라이밍 방전의 기본 특성에 대해 조사하였으며, 안정적인 프라이밍 방전을 유지할 수 있는 초기화 펄스 및 프라이밍 램프 펄스를 도출하였다. 특히, 프라이밍 램프 펄스의 기울기가 0.1 [V/㎲]의 미약한 프라이밍 방전의 경우에 대해서도 기존 방식의 1.2[㎲]의 어드레스 방전 지연 시간을 0.8[㎲]로 획기적으로 개선할 수 있는 것을 확인하였다. This study is related to the realization of high speed address driving method for Full-HD PDP. The new self-priming addressing(SPA) driving scheme was proposed to improve an address discharge time lag, which utilizes the priming effect maintaining the priming discharge during an address period. In this study, the basic characteristics of the priming ramp discharge were investigated and optimize the reset pulse and priming pulse. It is noted that the address discharge time lag is significantly improved from 1.2[㎲] to 0.8[㎲] when the slope of the priming ramp pulse is below 0.1[V/㎲].
박상식,신범재,우형수 한국마이크로전자및패키징학회 2020 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.27 No.2
The technology and market size of image sensors continue to develop thanks to the release of image sensors that exceed 100 million pixels in 2019 and expansion of black box camera markets for vehicles in addition to existing mobile applications. We review the technology flow of image sensors that have been constantly evolving for 40 years since Hitachi launched a 200,000-pixel image sensor in 1979. Although CCD has made inroads into image sensor market for a while based on good picture quality, CMOS image sensor (CIS) with active pixels has made inroads into the market as semiconductor technology continues to develop, since the electrons generated by the incident light are converted to the electric signals in the pixel, and the power consumption is low. CIS image sensors with superior characteristics such as high resolution, high sensitivity, low power consumption, low noise and vivid color continue to be released as the new technologies are incorporated. At present, new types of structures such as Backside Illumination and Isolation Cell have been adopted, with better sensitivity and high S/N ratio. In the future, new photoconductive materials are expected to be adopted as a light absorption part in place of the pn junction.