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- 저자 : 김준제 (검색결과 5 건)
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RF 스퍼터의 POWER 변화에 따른 플라스틱 기판 위에 증착된 ZnO 박막의 특성 연구
김준제,박준용,김홍승,이원재,조채용 한국물리학회 2009 새물리 Vol.58 No.4
상온에서 RF스퍼터를 이용하여 PC (polycarbonate)와 PES (polyethersulfone) 플라스틱기판 위에 ZnO 박막을 증착하였다. 100 W에서 200 W까지의 스퍼터 파워변화에 따른 ZnO 박막의 구조적, 광학적 특성을 조사하였다. XRD측정에서는 기판의 종류와 관계없이, 모든 ZnO 박막에서 육방정계 구조의 (002) 면이 우선배향 증착되었고 구조적으로는 스퍼터 파워 175 W에서 증착된 ZnO 박막이 가장 우수한 특성을 나타내었다. 광학적으로는 스퍼터의 파워가 증가할수록 박막의 두께증가로 인한 광밴드갭 에너지의 감소가 나타났으며, 100 W에서 증착된 ZnO 박막이 가시광 영역에서 85% 이상의 광투과율을 보이며 가장 안정된 특성을 보였다. 기판에 따른 ZnO 박막의 특성은 PES기판이 PC기판보다 구조적, 광학적으로 우수하였다. Zinc oxide (ZnO) films were deposited on polycarbonate (PC) and polyethersulfone (PES) substrates by RF sputtering at room temperature. The effects of sputtering power in the range from 100 W to 200 W on the structural and the optical properties of the ZnO films on the plastic substrates were investigated. Regardless of the substrate type, the X-ray diffraction (XRD) measurements revealed that all of the ZnO films on plastic substrates had a (002) preferred orientation associated with the hexagonal phase. While the best ZnO film with respect to structural properties was obtained for a sputtering power of 175 W, the ZnO films deposited around 100 W showed stable optical transmittances over 85% in the visible range. The ZnO films deposited on PES substrates were better than those deposited on PC substrates with respect to both the structural and optical properties.
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후속 열처리를 통한 n-ZnO/p-Si(111) 이종 접합 구조 다이오드 특성 연구
이종훈,김홍승,김준제,오현성,이주영,장낙원 한국물리학회 2008 새물리 Vol.56 No.3
Zinc-oxide films were deposited on p-type Si (111) substrates by using a radio-frequency (RF) sputtering system at room temperature and were annealed at 800 $^\circ$C in N$_{2}$ and an air ambient for 1 hr. An n-ZnO/p-Si heterojunction diode was fabricated by using a photolithograph method. The effects of the annealing ambient on the electrical and the diode characteristics were investigated by using Hall measurements and current - voltage measurements (HP 4145). In addition, the variation of the light emission with the applied voltage was examined by using a laser diode tester. The electrical characteristics were definitely affected by the annealing ambient, and the n-ZnO/p-Si diodes annealed in N$_{2}$ exhibited yellow light at 13-15 V. p형 Si(111) 기판 위에 RF-스퍼터링 방법으로 ZnO 박막을 상온에서 증착 한 후 열산화로 장비를 이용하여 대기 분위기와 질소 분위기에서 각각 800 $^\circ$C의 온도로 열처리를 하였다. 열처리된 ZnO 박막은 포토리소그래피 공정을 통하여 n-ZnO/p-Si(111) 이종 접합 구조 다이오드로 제작 하였다. 열처리 분위기에 따른 전기적 특성 및 다이오드의 특성을 알아 보기 위하여 홀 측정과 HP (4145B) 계측기를 이용하여 I-V 측정을 하였다. 또한 빛 방출 검출기를 이용하여 전압인가시에 빛 방출 여부를 조사 하였다. 열처리된 ZnO 박막은 열처리 분위기에 따라 다른 전기적 특성이 보였으며, n-ZnO/p-Si(111) 이종 접합 구조 다이오드는 약 13 $\sim$ 15 V 전압 인가 시 약한 황색 빛을 방출 하였다.
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PLD 법으로 증착된 n-ZnO:In/p-Si (111) 이종접합구조의 특성연구
장보라,이주영,이종훈,김준제,김홍승,이동욱,이원재,조형균,이호성,Jang, Bo-Ra,Lee, Ju-Young,Lee, Jong-Hoon,Kim, Jun-Je,Kim, Hong-Seung,Lee, Dong-Wook,Lee, Won-Jae,Cho, Hyeong-Kyun,Lee, Ho-Seong 한국전기전자재료학회 2009 전기전자재료학회논문지 Vol.22 No.5
ZnO films doped with different contents of indium ($0.1{\sim}10$ at.%) were deposited on Si (111) substrate by Pulsed Laser Deposition (PLD). The structural, electrical and optical properties of the films were investigated using XRD, AFM, Hall and PL measurement. Results showed that un-doped ZnO film had (002) plane as the c-axis orientated growth, whereas indium doped ZnO films exhibited the peak of (002) and the weak (101) plane. In addition, in the indium doped ZnO films, the electron concentration is ten times higher than that of un-doped ZnO film, while the resistivity is ten times lower than that of un-doped ZnO film. The indium doped ZnO films have UV emission about 380 nm and show a red shift with increasing contents of indium. The I-V curve of the fabricated diode show the typical diode characteristics and have the turn on voltage of about 2 V.
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저 함량의 In이 도핑된 n-ZnO:In/p-Si(111) 이종접합 구조 다이오드의 특성연구
장보라,이주영,이종훈,김준제,김홍승,이원재,조채용 한국물리학회 2009 새물리 Vol.58 No.4
In this paper, ZnO films doped with different contents of low-mole-fraction indium (0.1 at.%, 0.3 at.%, and 0.6 at.%) were deposited on Si (111) substrates by using pulsed laser deposition (PLD) at 600℃ for 30 min. The results of X-ray diffraction showed that with the addition of In, the peak of the (10l) plane appeared instead of the peak of (002) plane, which is only exhibited with c-axis-oriented growth. In the photoluminescence result, the In-doped ZnO films had UV emission at about 380 nm and showed a red shift with increasing content of In. From the results of the Hall measurement, in the In-doped ZnO films, the electron concentration was ten times higher than that of an undoped ZnO film while the resistivity was ten times lower than that of undoped ZnO film. The I-V curves of the fabricated diodes showed the typical diode characteristics and had a turn-on voltage of about 2V. 저 함량의 In (0.1, 0.3, 0.6 at.%)이 도핑된 ZnO 타겟을 사용하여 도핑 농도 변화에 따른 ZnO:In 박막의 특성을 조사하였다.~펄스 레이저 증착법을 사용하여 p-Si (111) 기판 위에 600℃에서 30분간 증착하였다.X-선 회절 분석 결과 In의 첨가로 인해 (002)면의 피크만 존재하는 c-축 우선성장 박막에서~(10l)면 피크가 존재하였다. 광 발광 특성에서 도핑된 In의 양이 증가할수록 UV 발광 피크의 강도는 감소하며 장파장으로 이동함을 보였다.~홀 측정 결과 ZnO:In 박막은 ZnO 박막에 비해 10배 정도 높은 전자 농도 (~1018 /cm2)를 가지며 비저항 역시 10배 낮은 값 (~10−2Ωcm)을 보였다.I-V 특성 측정 결과 전형적인 다이오드의 특성 곡선을 보여주고 있었으며 대략 2 V의 순방향 전압을 보였다.
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SSR 마커를 이용한 유럽 양송이 자원의 유전적 다양성 및 집 단구조분석
신혜란,안혜진,방준형,김준제,한세희,이화용,정종욱 한국버섯학회 2020 한국버섯학회지 Vol.18 No.4
Agaricus bisporus is an important edible mushroom that is used as a functional food. In this study, European A. bisporus strains were analyzed for genetic diversity, population structure, and genetic differentiation using simple sequence repeat (SSR) markers. European A. bisporus strains were divided into four groups by distance-based analysis and two subpopulations by model-based analysis. The SSR markers used in this study did not group European A. bisporus strains by geographical region or pileus color. Genetic diversity was high in Group 4 based on distance-based analysis and Pop. 2 based on model-based analysis. A. bisporus strains showed very low genetic differentiation. The results of this study can be used for breeding A. bisporus in the future.
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