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崔時永 慶北大學校 産業開發硏究所 1980 硏究報告 Vol.8 No.-
The CdSe thin film transistors with SiO gate insulation layer have been fabricated with vacuum evaporation technique. The charateristics and the machanism of these TFT were similar to those of MOSFET. The activation energy for mobility and carrier mobility of the TFT were O.13eV and 115㎠/v-sec respectively.
최시영 경북대학교 센서기술연구소 1996 연차보고서 Vol.1996 No.-
SDB(silicon direct bonded) 웨이퍼를 이용하여 자동차 엔진내의 압력을 감지할 수 있는 절대압 MAP센서를 제조하였다. Cell의 감지 압력범위는 절대압으로 15 ∼ 102㎪이므로 제조된 센서의 다이아프램 공극을 진공으로 유지시킬 필요가 있다. 따라서 10^-5torr의 압력 하에서 유리와 정전 접합하였다. 이것은 고온에서의 vapor효과를 줄여서 온도의 영향을 조금 줄여준다. 본 센서는 다이아프램위에 하나의 wheatstone bridge로 구성되어있다. DC 5V 구동 전압을 인가했을 때 제조한 센서의 감도는 30.4㎶/V㎜Hg, 오프셋 전압은 30.6㎷ 이었다. 압저항이 온도에 대한 강한 의존성을 나타내므로 저항의 정확한 조절을 구현하여 소자내 저항의 균일성을 이루고, 외부 측정회로의 시스템화를 구현하여 신호처리를 한다면 보다 나은 특성을 가질 수 있다. 따라서 자동차용 엔진 MAP Sensor로 사용될 수 있을 것으로 기대된다. The automobile engine absolute pressure MAP sensor using SDB( silicon direct bonded) wafer is fabricated. This sensor must operate normally in the range of 15 ∼ 102㎪ for absolute pressure. Thus the sealed diaphragm cavity was anodically bonded to pyrex 7740 glass under the condition of ∼10^-5torr, at 400℃. Not only this enables absolute pressure to be detected but also reduces the effect of the vapor in the cavity on the temperature. This is the minor method of temperature compensation methods. The structure of the sensor consists of a Wheatstone bridge and diaphragm. The sensitivity of developed sensor was 30.4㎶/V㎜Hg for 760㎜Hg absolute pressure range and offset voltage was 30.6㎷. When temperature compensation is accomplished, this sensor can be used for automobile engine absolute pressure MAP sensor.
최시영,강석중,이병기 한국분말야금학회 2001 한국분말야금학회 학술대회논문집 Vol.2001 No.1
는 현재 전기 전자 부속 산업엣 필수적인 재료로서, multilayer capacitor,positive temperature coefficient(PTC) resistor, grain-boundary battier layer capacitor(GBBLC)등에 쓰이고 있다. 의 전기적 특성을 최대화하기 위해서는 미세구조가 최적화 되어야만 하는데 일반적으로 수 마이트로 이내의 작고 균일한 크기의 입자크기가 바람직하다. 그러나 계에서 화학양론의 조성이 정확
崔時永,李宇一 경북대학교 공과대학 1975 工大硏究誌 Vol.4 No.-
The aging effects of GaAsP red lightemitting diodes(LEDs) have investigated under forward bias operation. The dominant cause of degradation is considered the increase of nonradiative recombination centers in depletion region and luminescent region due to the forward current. The effects of the above machanism have been confirmed experimentally with1/C^2-V charateristics and the variation of light output.
InSb/InAsSb 초격자 구조의 적외선 센서 개발(Ⅱ)
최시영,이정희,이길식 경북대학교 센서기술연구소 1993 연차보고서 Vol.1993 No.-
본 연구에서는 광기전력 형태의 적외선 센서를 위한 p-InSb/n-lnSb 다이오드를 제조하였으며 그 특성을 조사하였다. GaAs 기판위에 MBE로 성장시킨 InSb 결정층의 Hall 이동도는 상온 및 77 K에서 각각 60,000㎠/V·s, 110,000㎠/V·s으로 나타났다. 상온에서의 이동도보다 77K에서의 이동도가 높은 것은, 기판과 epilayer간의 14%의 격자불일치가 존재하더라도, ALE법으로 성장시킨 완충층으로 인하여 전위밀도가 상당히 줄어들었음을 의미한다. 표면 보호막용 SiO_2를 downstream PECVD로 상온에서 증착하였다. Ⅰ-V 측정을 통하여 항복전계가 약 2.6 ㎹/㎝, 평균저항률이 약 3.1×1012 Ω·㎝임을 알 수 있었다. C-V측정에서는 유전율이 4, SiO_2내의 전하밀도가 1.86×1011 ions/㎠로 나타났다. 또한 BeCl_2 고체 이온원을 이용하여 Be을 InSb기관에 이온주입시켜 p-n 접합을 형성할 수 있었다. Insb기판위에 MBE로 성장시킨 p-InSb/n-InSb 결정층 및 Be이온주입된 InSb기판을 이용하여 p-n접합형 다이오드를 제조하여 77K에서 전류-전압 특성을 조사하였다. MBE로 성장시킨 결정층을 이용하여 제조한 다이오드의 암상태 77K에서 zero bias 저항과 면적의 적(Ro·A)이 2.5×105 Ω·㎠ 의 값을 가졌다. 이는 성능이 우수한 적외선 센서에서의 Ro·A와 비슷한 값으로서, 적외선 센서로서의 사용가능을 의미한다고 할 수 있다. P-n InSb junction diodes for the Infrared sensor were fabricated and characterized. The typical Hall mobilities of InSb epilayer grown by GaAs substrate were 60,000 ㎠/V·s and 110,000 ㎠/V·s at room temperature and 77K, respectively. The increased mobility with decreasing temperature is believed from the measurement that the dislocation density was significantly reduced by the buffer layer grown by ALE even though there is 14% lattice mismatch between the substrate and epitaxial layer. For the passivation of InSb surface, SiO_2 film was deposited by downstream PECVD. The breakdown strength and resistivity of the film were 2.6 MV/㎝ and 3.1×1012 Ω·㎝. From the C-V measurement, charge density in the SiO_2 film was 1.86×1011 ions/㎠. Planar p-n InSb junction diode using Be ion implantation were also fabricated. Both current-voltage characteristics of the MESA type and planar type diodes, fabricated on MBE grown wafer and ion implanted wafer, respectively, were measured at 77K. The former had zero bias resistance area product(R0-A) of 2.5×105 Ω·㎠. This high value of R0-A means that it can be used for the infrared sensor.