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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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§ ※ ☆ ★ ○ ● ◎ ◇ ◆ □ ■ △ ▽ → ← ↑ ↓ ↔ 〓 ◁ ◀ ▷ ▶ ♤ ♠ ♡ ♥ ♧ ♣ ⊙ ◈ ▣ ◐ ◑ ▒ ▤ ▥ ▨ ▧ ▦ ▩ ♨ ☏ ☎ ☜ ☞ † ‡ ↕ ↗ ↙ ↖ ↘ ♭ ♩ ♪ ♬ ㉿ ㈜ № ㏇ ™ ㏂ ㏘ ℡ ＃ ＆ ＊ ＠ ª º
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      주제어 : gesete (검색결과 2 건)

      • Te 첨가에 따른 Ge-Se-Te 계 Chalcogenide 유리의 특성 및 구조 연구

        이용우 포항공과대학 1994 국내석사

        RANK : 2591

      • Ge2Sb2Te5, Au 첨가 Ge2Sb2Te5 및 Ge-Se-Te 상변환 재료의 PRAM 응용성 연구

        신재호 전남대학교 대학원 2012 국내석사

        RANK : 2571

        Ge2Sb2Te5 비정질 박막은 상변화 데이터 저장에 가장 일반적으로 사용되는 물질 중 하나이다. 본 연구에서는, 658nm 레이저 빔을 사용하여 Aux(Ge2Sb2Te5)1 - x 박막 및 Ge8Se(2+x)Te(6-x) 박막의 비정질-결정질 상변화 속도를 평가하였다. 1– 17 mW 파워(P) 범위와 10–460 ns 의 펄스폭(t) 범위에서, 10 μm 이하의 직경을 갖는 입사 레이저 빔을 입사하고 그에 대한 박막 표면으로부터의 응답 시그널을 측정하였다. 또한, 증착 직후 그리고 열처리한 박막에 대하여 광학적 흡수특성과 에너지 갭, 결정구조, 면저항 등의 물성을 분석하였다. 실험결과 Au 첨가 는 Ge2Sb2Te5박막의 열적인 안정성 향상에 기여할 수 있음을 확인하였다. 그리고 발열전극(TiN, Cr, W, Al)의 영향에 대해서도 조사하였다. 실험에 사용된 PRAM cell은 RF-magnetron sputtering 및 DC-magnetron sputtering 기법으로 제작하였다. conductive-AFM을 이용해 제작된 셀의 I-V curve를 측정하였으며, 발열전극을 TiN으로 하였을때 문턱전압이 가장 낮음을 알 수 있었다.

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