RISS 학술연구정보서비스

검색
다국어 입력

http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.

변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.

예시)
  • 中文 을 입력하시려면 zhongwen을 입력하시고 space를누르시면됩니다.
  • 北京 을 입력하시려면 beijing을 입력하시고 space를 누르시면 됩니다.
닫기
    인기검색어 순위 펼치기

    RISS 인기검색어

      검색결과 좁혀 보기

      선택해제

      오늘 본 자료

      • 오늘 본 자료가 없습니다.
      더보기
      • Ultrafast hot carrier dynamics and diffusive characteristics in 2D Bi₂O₂Se semiconductor

        Jung, Chanwoo Sungkyunkwan University 2024 국내석사

        RANK : 231967

        An emerging 2D layered semiconductor, bismuth oxyselenide (Bi2O2Se) is under the scientific spotlight due to its unique material properties. Despite several studies about the electrical properties and physical phenomenon in Bi2O2Se, the optical properties and carrier transport mechanism, especially in ultrafast time regions, have been less studied. Also, Bi2O2Se has an intrinsic drawback of relatively slow response speed impeding the high-speed device application. Herein, we studied the ultrafast diffusive property in Bi2O2Se thin films driven by hot carriers with a large diffusion coefficient due to the high potential energy. The carrier migration process in the spatiotemporal domain is identified by the transient absorption microscopy (TAM), which is a powerful pump-probe technique for monitoring the generation, relaxation, and diffusion of photo-excited carriers. Hot carrier expansion is observed in the first 2 ps right after photoexcitation, featuring a high diffusion coefficient of about 237 cm2 s-1. Notably, this value is about 50–fold larger than that of the bound exciton diffusion measured as 4.45 cm2 s-1. Furthermore, the calculation of carrier temperature confirms the existence of hot carriers about 2000 K on the initial timescales. Understanding the hot carrier transport and photophysics in Bi2O2Se can lead to the development of efficient energy conversion devices, ultrafast optoelectronics, and various potential applications. 신생 2차원 층상 반도체인 비스무스 옥시셀레나이드 (Bi2O2Se)는 독특한 물성 때문에 과학적인 주목을 받고 있다. Bi2O2Se의 전기적 특성과 물리적 현상에 관해서는 여러 연구가 있었지만, 특히 초고속 시간 영역에서의 광학적 특성 및 캐리어 이동 메커니즘에 대한 연구는 아직 미흡하다. 또한, Bi2O2Se는 상대적으로 느린 광응답 속도와 같은 고유한 단점을 가지고 있어 초고속 반도체 소자 응용에 제약이 있다. 이에 따라, 본 연구에서는 높은 포텐셜 에너지로 인해 큰 확산 계수를 갖는 핫 캐리어에 의해 유도된 Bi2O2Se 얇은 필름에서의 초고속 확산 특성을 연구하였다. 시공간 도메인에서의 캐리어 이동 과정은 순간 흡수 현미경 분광법 (TAM)에 의해 확인되었으며, 이는 광자로 여기된 캐리어의 생성, 이완 및 확산을 관측하기 위한 강력한 펌프-프로브 기술이다. 그 결과, 광여기 직후에 2 피코초 동안 핫 캐리어 확장 현상이 관찰되었으며, 약 237 cm2 s-1의 높은 확산 계수를 나타내었다. 이 값은 4.45 cm2 s-1로 측정된 엑시톤 확산보다 약 50 배 정도 현저히 크다. 더 나아가, 캐리어 온도 계산 결과를 통해 광여기 이후 매우 이른 시간대에서 약 2200 K에 이르는 핫 캐리어의 존재를 확인하였다. Bi2O2Se에서의 핫 캐리어 이동 및 광물리학 현상을 이해하는 것은 효율적인 에너지 변환 소자, 초고속 광전자학, 그리고 다양한 응용 분야의 개발로 이어질 수 있다.

      • All-solution Synthesized High-performance 2D Bi2O2Se Thin-film Transistor

        Kim, Jin Seok 고려대학교 KU-KIST융합대학원 2023 국내석사

        RANK : 231951

        Two-dimensional (2D) semiconductors have emerged as a next-generation electronic material because of their excellent electrical and mechanical properties in the atomically thin regime. These materials with a van der Waals layered structure are particularly promising for emerging electronics capable of heterogeneous integration and flexibility. For this purpose, low-temperature, and high-quality synthesis of 2D semiconductors are essential, wet chemical synthesis has remarkable advantages in low process temperature, scalability, and cost-effectiveness compared to conventional chemical vapor deposition processes. However, it remains a considerable challenge to achieve high quality and device performance. Here, we report the wet chemical synthesis via a bottom-up process of 2D Bi2O2Se semiconductors showing a high mobility characteristic. The all-solution-based processes are carried out at a low temperature below 200 ℃ producing free-standing 2D flakes with a lateral size of over 10 μm and thickness down to 8 nm. In addition, the single-crystalline Bi2O2Se channel in a back-gated field-effect transistor geometry exhibited high mobility up to 132 cm2V-1s-1 at room temperature. Notably, this solution can be assembled into a thin film for large-area device fabrication through a simple method such as liquid/air interface self-assembly. Our demonstration provides an innovative bottom-up synthesis approach to preparing high-quality semiconductors cost- and energy-effectively.

      연관 검색어 추천

      이 검색어로 많이 본 자료

      활용도 높은 자료

      해외이동버튼