http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
- 中文 을 입력하시려면 zhongwen을 입력하시고 space를누르시면됩니다.
- 北京 을 입력하시려면 beijing을 입력하시고 space를 누르시면 됩니다.
RISS 인기검색어
- 검색키워드
- 저자 : 고지왕 (검색결과 1 건)
-
Scaling of monolithic 3D CMOS-nanoelectromechanical reconfigurable logic circuits
모놀리식 3차원 (M3D) CMOS-나노전자기계 재구성 가능 논리 회로의 스케일링을 CMOS로만 이루어진 재구성 가능 논리 회로와 최초로 비교하며 논하였다. 모놀리식 삼차원 CMOS-나노전자기계 재구성 가능 논리 회로는 나노전자기계 스위치의 낮은 저항과 최대 신호 스윙으로 인해 CMOS로만 이루어진 재구성 가능 논리 회로보다 전파 지연, 전력 소비 및 전력-지연 곱 (power-delay product, PDP) 측면에서 우수하다는 것이 확인되었다. 나노전자기계 스위치는 스위치 블록 뿐 아니라 그 뒤에 오는 논리 블록에도 영향을 주지 않는다. CMOS-나노전자기계 재구성 논리 회로는 기술 노드가 향상됨에 따라 성능/전력/에너지 이점이 CMOS로만 이루어진 재구성 가능 논리 회로보다 증가하기 때문에, 고밀도, 고성능, 저전력 재구성 논리 회로로 가장 유망하다. The scaling of monolithic three-dimensional (M3D) complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) nanoelectromechanical (NEM) reconfigurable logic (RL) circuits are compared with CMOS-only circuits for the first time. It is confirmed that M3D CMOS-NEM RL circuits are superior to CMOS-only circuits in terms of propagation delay, power consumption, and power-delay product (PDP) because of the low resistance and full signal swing of NEM memory switches that not only affect the current switch block but also the following block. Because the performance, power, and energy gains of the CMOS-NEM RL circuits over CMOS-only circuits increase as the technology node improves, M3D CMOS-NEM RL circuits can be considered as one of the most promising candidates for high-density, high-performance, and low-power RL circuits.
연관 검색어 추천
이 검색어로 많이 본 자료
활용도 높은 자료
